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簡(jiǎn)要描述：硬化涂層膜厚儀是一款快速、準確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商產(chǎn)品資料：更新時(shí)間：2024-11-09訪(fǎng) 問(wèn) 量： 1235產(chǎn)品分類(lèi)
Product Category詳細介紹
硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺計算機控 制的XY工作臺，使其快 速、方便和準確地描繪樣品的厚度和光學(xué)特性圖。品牌屬于Thetametrisis。
Thetametrisis利用 FR-Mic，通過(guò)紫外/ 可見(jiàn)/ 近紅外可輕易對局部區域薄膜厚度，厚度映射，光學(xué)常數，反射率，折射率及消光系數進(jìn)行測量。
【相關(guān)應用】
1.高校 & 研究所實(shí)驗室
2.半導體制造
3.(氧化物/氮化物， 硅膜, 光刻膠及其他半導體薄膜.)
4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)
5.LEDs, VCSELs
6.數據存儲
7.陽(yáng)極處理
8.曲面基底的硬鍍及軟鍍
9.聚合物膜層, 粘合劑
10.生物醫學(xué)(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)
11.還有許多…
【Thetametrisis膜厚儀特點(diǎn)】
1、實(shí)時(shí)光譜測量
2、薄膜厚度，光學(xué)特性，非均勻性測量， 厚度映射
3、使用集成的，USB連接高品質(zhì)彩色攝像機進(jìn)行成像
【Thetametrisis膜厚儀產(chǎn)品優(yōu)勢】
1、單擊即可分析 (無(wú)需初始預測)
2、動(dòng)態(tài)測量
3、包含光學(xué)參數 (n & k, color)
4、可保存測量演示視頻錄像
5、超過(guò) 600 種不同材料o 多個(gè)離線(xiàn)分析配套裝置o 免費操作軟件升級
【技術(shù)參數】
*測量面積(收集反射或透射信號的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關(guān)
型號 | UV/VIS | UV/NIR-EXT | UV/NIR-HR | DUV/NIR | VIS/NIR | DVIS/NIR | NIR | |
光譜波長(cháng)范圍(nm) | 200–850 | 200–1020 | 200-1100 | 200–1700 | 370–1020 | 370–1700 | 900–1700 | |
光譜儀像素 | 3648 | 3648 | 3648 | 3648&512 | 3648 | 3648&512 | 512 | |
膜厚測量范圍 | 5X-VIS/NIR | 15nm–60μm | 15nm–70μm | 15nm–90μm | 15nm–150μm | 15nm–90μm | 15nm–150μm | 100nm–150μm |
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm–50μm | 4nm–60μm | 4nm–80μm | 4nm–130μm | 15nm–80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | |
15X-UV/NIR* | 4nm–40μm | 4nm–50μm | 4nm–50μm | 4nm–120μm | – | – | – | |
20X-VIS/NIR 20X-UV/NIR* | 4nm–25μm | 4nm–30μm | 4nm–30μm | 4nm–50μm | 15nm–30μm | 15nm–50μm | 100nm–50μm | |
40X-UV/NIR* | 4nm–4μm | 4nm–4μm | 4nm–5μm | 4nm–6μm | – | – | – | |
50X-VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm–5μm | 15nm–5μm | 100nm–5μm | |
測量n&k蕞小厚度 | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | |
光源 | 氘燈&鹵素燈(internal) | 鹵素燈(internal) | ||||||
材料數據庫 | >600不同材料 | |||||||
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物鏡 | 光斑尺寸(μm) | ||
500μm孔徑 | 250μm孔徑 | 100μm孔徑 | |
5x | 100μm | 50μm | 20μm |
10x | 50μm | 25μm | 10μm |
20x | 25μm | 17μm | 5μm |
50x | 10μm | 5μm | 2μm |
【工作原理】
*規格如有更改，恕不另行通知, 測量結果與校準的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續 15 天測量的標準方差平均值。樣品：1um SiO2 on Si., 100 次厚度測量的標準方差，樣品：1um SiO2 on Si.
*超過(guò) 15 天的標準偏差日平均值樣品：1um SiO2 on Si。
以上資料來(lái)自Thetametrisis，如果有需要更加詳細的信息，請聯(lián)系我們獲取。
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