EVG810 LT 低溫等離子活化系統用于SOI，MEMS，化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫等離子體活化系統

一、簡(jiǎn)介

EVG810 LT （LowTemp™）低溫等離子活化系統是一個(gè)獨立單腔室系統，具有手動(dòng)操作功能。 處理室允許非原位處理（晶片一個(gè)接一個(gè)地激活并且鍵合在等離子體活化室外部）。

二、特征

用于低溫鍵合的表面等離子體活化（熔合/分子和中間層鍵合）

任何晶圓鍵合機制的快動(dòng)力學(xué)

無(wú)需濕法工藝

低溫退火時(shí)的高鍵合強度（z高400°C）

適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進(jìn)封裝

高度的材料兼容性（包括CMOS）

三、EVG810 LT 低溫等離子活化系統參數

1.晶圓尺寸：50-200mm，100-300mm

2.低溫等離子活化腔：

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用大流量控制器：自校準（高達20.000 sccm）

真空系統：0.09 mbar

打開(kāi)/關(guān)閉腔室：自動(dòng)化

裝載/卸載腔室：手動(dòng)（晶圓/基板放置在裝載銷(xiāo)上）

3.備選功能：

用于不同的晶圓尺寸的夾頭

金屬離子激活

帶有氣體混合的附加工藝氣體

帶渦輪泵的高真空系統：0.009 mbar的基礎氣壓